ОБОРУДОВАНИЕ:
 

  1. Просвечивающий электронный микроскоп Titan 80-300 (FEI, США) с probe- корректором сферических аберраций
  2. Просвечивающий крио- электронный микроскоп Titan Krios 60-300 (FEI, США) с image- корректором сферических аберраций
  3. Растровый электронно-ионный микроскоп Helios Nanolab 600i (FEI, США)
  4. СЗМ-установка ИНТЕГРА-Спектра
  5. СЗМ-установка Veeco Multimode 8
  6. СЗМ-установка ИНТЕГРА-Прима
  7. Оборудование для пробоподготовки

 

 

Просвечивающий электронный микроскоп Titan 80-300 (FEI, США) с probe- корректором сферических аберраций

Прибор предназначен для изучения внутренней микро- и нано- структуры исследуемых материалов, их локального химического состава, типа и параметров кристаллической решетки

  • Латеральное разрешение 0.79  Ангстрем
  • Диапазон энергий электронов 80-300 кВ
  • Энергетическое разрешение EELS 0.7 эВ, пространственное разрешение 0.1 нм
  • Снабжен корректором сферических аберраций

 

Растровый электронно-ионный микроскоп Helios Nanolab 600i (FEI, США)

Сканирующий электронно-ионный микроскоп Helios представляет собой комбинацию  фокусированного ионного пучка (ФИП) и сканирующегоэлектронного микроскопа. Предназначен для восстановления 3D-структуры образца посредством послоевого травления образца с помощью ФИП, подготовки образцов для ПЭМ, проведения микроанализа элементов сечения дефекта

  • Разрешение электронного пучка 0.8 нм при энергии 15 кВ
  • Разрешение ионного пучка 4.5 нм при энергии 30 кВ
  • Ускоряющее напряжение 100 В: 30 кВ (электроны), 100 В – 30 кВ (ионы)
  • Возможность напыления Pt, W, C

 

Просвечивающий крио- электронный микроскоп Titan Krios 60-300 (FEI, США) с image- корректором сферических аберраций

Предназначен для криопросвечивающей электронной микроскопии, автоматизированного анализа единичных частиц, 2D электронной кристаллографии и двухосевой томографии. Позволяет получать информацию о биологических клетках вплоть до масштаба отдельных молекулярных комплексов

 

Возможности:  

  • Диапазон энергий электронов 60-300 кВ
  • Разрешение: 0.75 Ангстрем
  • СПЭМ-разрешение 0.2 нм
  • Криообработка образцов в жидком этане
  • Автоматизированная загрузка и анализ  до 12 образцов за одно исследование

 

СЗМ-УСТАНОВКА ИНТЕГРА-СПЕКТРА

Позволяет исследовать объект с помощью арсенала методов сканирующей зондовой микроскопии АСМ, МСМ, СТМ, СБМ

 

Возможности:

  • Возбуждение ФЛ и КР лазерами с длинами волн 473, 632, 785 нм
  • Диапазон исследования 190-8500 см-1
  • Диапазон сканирования по XY 50 мкм, по Z 75 мкм
  • Апертура для СБМ 100 нм

 

СЗМ-УСТАНОВКА VEECO MULTIMODE 8

Предназначен для исследования морфологии поверхности, механических, электрических и магнитных свойств тонкопленочных материалов в условиях контролируемой атмосферы

 

Возможности:

  • Контактный режим (в том числе микроскопия латеральных сил)
  • Полуконтактный режим
  • Режим снятия силовых кривых
  • Электростатическая силовая микроскопия
  • Магнитная силовая микроскопия
  • Кельвин-зондовая силовая микроскопия
  • Диапазон температур от -35оС до 250оС               

 

СЗМ-УСТАНОВКА ИНТЕГРА-ПРИМА

Позволяет решать широкий спектр задач в области атомно-силовой микроскопии, предусматривает возможность изучения физических и химических свойств поверхности образца с высокой точностью и разрешением

 

Возможности:  

  • Разрешение позиционирования 5 мкм
  • АСМ (контактная, полуконтактная, безконтактная)
  • Латерально-силовая микроскопия
  • Отображение фазы
  • Модуляция силы
  • Отображение адгезионных сил
  • Литографии: АСМ (силовая)

 

Оборудование для  пробоподготовки

Основная приборная база в составе:

  • Ультрамикротом с комплектом алмазных ножей Ultracut UC-6 (Leica, США)
  • Установка для очистки образцов от органического углерода в плазме аргон-кислород Plasma Cleaner Model 1020 (Fischione , США)
  • Ионная мельница для травления образцов для ПЭМ ионами Ar+ ,Ion Mill Model1010 (Fischione, США)
  • Установка для механической шлифовки образцов для ПЭМ Dimpling Grinder Model 200 (Fischione, США)
  • Установка для напыления золотого/углеродного покрытий на токонепроводящие образцы для исследований на СЭМ (SPI, США)
  • Установка травления ионами Ar+ для приготовления образцов для ПЭМ (Gatan, США)
  • Установка для оцифровки картин электронной дифракции, снятых на пленку (Ditabis, США)
  • Ультразвуковая пила для вырезания 3мм дисков для пробоподготовки на ПЭМ (Fischione, США)
  • Установка для фиксации образцов путем их запрессовывания в среде токо(не)проводящей полимерной резины Opal 410 (ATM, Germany)
  • Установка для механической шлифовки образцов Saphir 530 (ATM, Germany)
  • Отрезной высокопрецизионный станок Brilliant 221 (ATM, Germany)
  • Установка для прецизионного локального травления образцов для ПЭМ с детектором вторичных ионов Nanomill Model 1040 (Fischione, США)

 

Доступные методики:

  • Локальное травление низкоэнергетичными ионами аргона
  • Механический помол; получение срезов на ультрамикротоме
  • Механическая шлифовка
  • Выдержка при высоком вакууме
  • Микроконтроль посредством оптической микроскопии
  • Напыление токопроводящих покрытий

 
 
 

 

 

© НИЦ "Курчатовский институт"